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薄膜實驗室

        本實驗室位於科技大樓03B218-1室,主要儀器設備有:高真空濺鍍系統(Sputter)、高溫爐、加熱板。本實驗室主要進行交流薄膜電激發光顯示元件之研發,而射頻濺鍍RF Sputter系統是以離子加速,通常是用氬氣,經過一電位梯度,以離子去轟擊靶材或陰極,靶材表面的原子揮發,而以蒸氣的形式鍍到晶圓。其中間需要介電質SiO2需要射頻電源,所以才會被稱為射頻濺鍍機。此系統的優點:不會有氣態雜質、沉積膜的重現性好和可以沉積合金或化合物,原成分不改變。缺點是濺擊絕緣靶時,鄰近的固定物和基座有時也會被擊中在未來研究室發展方向會朝有機光電元件封裝用之複合膜的沉積與製作、高介電材料之沉積與製程目標前進等等。




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